Samsung Electronics développe une mémoire flash NAND optimisée pour l'IA

Samsung Electronics développerait de nouvelles solutions de mémoire flash NAND conçues pour les charges de travail liées à l'intelligence artificielle (IA). Selon ZDNET Korea, l'entreprise travaille sur les produits mémoire zNAND-T et zNAND-I, qui complèteront le zNAND-O annoncé précédemment.

Le modèle zNAND-T, où le "T" signifie "Throughput" (débit), est conçu pour optimiser la bande passante en lecture et en écriture des semi-conducteurs IA dans les centres de données. Cette variante utilise des puces NAND empilées TSV pour améliorer les performances dans les environnements de données exigeants.

Inversement, le modèle zNAND-I, où "I" représente les IOPS (Opérations d'Entrée/Sortie par Seconde), se concentre sur l'amélioration des performances pour les opérations de lecture et d'écriture de petites quantités de données fréquentes. Ceci est particulièrement bénéfique pour des scénarios tels que le déchargement du cache KV.

Ces trois variantes de zNAND marquent une transition des mémoires flash NAND polyvalentes vers des solutions plus personnalisées. Cette spécialisation vise à répondre aux exigences évolutives et spécifiques d'applications diverses, en particulier dans le domaine en croissance rapide de l'IA.