Samsung fournit plus de 60 % de sa capacité V-NAND à Nvidia

Samsung Electronics augmente significativement sa fourniture de mémoire flash V-NAND à Nvidia, en consacrant plus de 60 % de sa capacité de production au géant technologique américain. Cette collaboration renforcée, rapportée par les médias sud-coréens sedaily, répond à la demande croissante en infrastructure d'intelligence artificielle.

L'expansion des serveurs d'IA nécessite des capacités accrues pour les données de contexte temporaires, souvent appelées cache Clé-Valeur. La solution Context Memory Storage (CMX) de Nvidia vise à atténuer ce goulot d'étranglement en intégrant de grandes quantités de mémoire flash NAND. Chaque serveur Nvidia peut être équipé jusqu'à 576 SSD, totalisant 9600 téraoctets de stockage, alimentés par la technologie V-NAND de Samsung.

Les analystes du secteur prévoient une augmentation substantielle de la demande de mémoire flash NAND pour les applications CMX. La demande devrait atteindre 35 millions de téraoctets d'ici 2026 et dépasser les 100 millions de téraoctets en 2027. Avec une production annuelle estimée de 250 millions de téraoctets de mémoire NAND, Samsung est positionné comme un fournisseur clé pour les initiatives ambitieuses de Nvidia dans le domaine de l'IA.

Samsung fait progresser sa feuille de route technologique V-NAND. Sa génération V9, dotée de 286 couches, représente actuellement 60 % de sa production V-NAND, avec un taux de rendement (yield rate) supérieur à 80 %. L'entreprise développe également les générations V10 et V11 ; la V11 pourrait atteindre 500 couches empilées, promettant d'autres augmentations de densité et de capacité de stockage pour répondre aux futures exigences.