Samsung utilisera le procédé 3nm de TSMC pour les puces de base HBM de Nvidia

Samsung Electronics utilisera le procédé de fabrication 3 nanomètres de Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) pour produire les puces de base des futures mémoires HBM personnalisées de Nvidia. Cette adaptation stratégique s'écarte de l'approche antérieure de Samsung qui consistait à fabriquer en interne à la fois les puces principales (core die) et les puces de base (base die) pour ses produits HBM.

Des sources industrielles indiquent que Nvidia a demandé à ses fournisseurs de HBM, y compris Samsung, SK Hynix et Micron, de fabriquer les puces de base en utilisant le procédé 3nm de TSMC. Pour les puces principales, Nvidia exige spécifiquement l'utilisation de son procédé DRAM de sixième génération, nom de code 1c. Cette standardisation vise à garantir des performances constantes entre les différents fournisseurs et à simplifier le processus de vérification des produits.

La division Device Solutions de Samsung a évalué les exigences de Nvidia et a accepté de recourir à TSMC pour la production des puces de base. Bien que ce changement s'applique aux HBM personnalisés de Nvidia, Samsung continuera sa production interne des produits HBM standard, tels que HBM4 et le futur HBM4E, en utilisant son propre procédé de fabrication 4nm.

Samsung étudie également la faisabilité de fabriquer ces puces de base NVHBM sur ses propres lignes de production. Ceci sert de plan d'urgence pour répondre à d'éventuelles contraintes de capacité chez TSMC ou pour maintenir la flexibilité de sa propre production pour la demande future.