Les revêtements en carbure de silicium améliorent les processus de croissance épitaxiale SiC

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd a développé des substrats en graphite revêtus de carbure de silicium (SiC) conçus pour améliorer la qualité et la durée de vie des processus de croissance épitaxiale au carbure de silicium. Ces revêtements répondent aux exigences croissantes de l'industrie des semi-conducteurs, où la qualité des couches épitaxiales a un impact direct sur les performances des dispositifs semi-conducteurs.

Les couches épitaxiales sont cultivées sur des substrats de plaquettes par un processus de précision, et leur qualité est essentielle pour la fabrication de dispositifs de puissance tels que les diodes Schottky, les MOSFET et les IGBT, les substrats 4H-SiC étant les plus courants. La déposition chimique en phase vapeur (CVD) est la méthode principale pour la croissance de ces couches de SiC. Cependant, les substrats en graphite peuvent se dégrader à haute température et sous l'effet de gaz corrosifs, réduisant ainsi leur durée de vie et contaminant potentiellement les puces de silicium.

Le revêtement en SiC offre une solution. Sa résistance à la corrosion et sa structure dense protègent le substrat des gaz agressifs. La haute conductivité thermique du revêtement et sa forte adhérence au graphite garantissent qu'il reste intact lors des cycles de température. De plus, la stabilité chimique du SiC dans les atmosphères corrosives à haute température prolonge la durée d'utilisation du substrat et améliore le rendement.

Selon l'entreprise, la préparation des revêtements en SiC est essentielle, car leurs propriétés physiques et chimiques affectent directement le rendement et la durée de vie des produits semi-conducteurs. Différentes formes cristallines de SiC sont utilisées pour diverses applications, notamment le 4H-SiC pour les dispositifs de puissance et le 3C-SiC pour les dispositifs RF basés sur le GaN. Ningbo VET Energy Technology fabrique ces revêtements par plusieurs méthodes, dont la méthode par immersion et la déposition chimique en phase vapeur.