SK Hynix confirme la mémoire V10 NAND avec empilement de 375 couches

SK Hynix a confirmé que sa mémoire flash NAND V10 de nouvelle génération utilisera une conception à 375 couches d'empilement, une augmentation par rapport aux 321 couches de son produit V9. Cela marque également le premier produit NAND de l'entreprise à intégrer la technologie de liaison de tranches de silicium (wafer bonding). Le nouveau V10 NAND est optimisé pour les environnements d'infrastructure d'IA, offrant 2,5 fois plus de performances par watt par rapport à la génération précédente.

L'entreprise prévoit de commencer la production de masse de SSD d'entreprise basés sur le V10 NAND au cours du premier semestre 2027. SK Hynix a également présenté des wafers V10 1Tb TLC et deux échantillons de puces finies : un modèle 32DP 2CH empilant 32 dies NAND, et une version encapsulée à quatre canaux dans un format compact.

De plus, l'entreprise a présenté l'UG500, une solution UFS 5.0 basée sur le V9H 1Tb TLC NAND, qui offre une amélioration de 19 % de l'efficacité énergétique par rapport à l'UFS 4.1. Des puces mémoire LPDDR6 ont également été présentées.

SK Hynix a également exposé son premier SSD QLC PCIe Gen5 économique, le PQF02. Ce lecteur utilise le V9 QLC NAND et est disponible en capacités de 1 To et 2 To, prenant en charge les facteurs de forme M.2 de 2230 à 2280.