VET Energy fournit du graphite de haute pureté pour la production de tranches de silicium
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. a fourni des composants en graphite de très haute pureté pour des champs thermiques de 32 pouces utilisés dans la fabrication de tranches de silicium de type N. La solution améliore considérablement la qualité du silicium et la capacité de production.
Le fabricant chinois Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd. a développé et fourni du graphite de haute pureté destiné aux champs thermiques de 32 pouces utilisés dans les industries photovoltaïque et des semi-conducteurs. Ces composants sont spécifiquement conçus pour les processus de croissance de lingots de silicium de type N, qui exigent une pureté de silicium exceptionnellement élevée.
La transition vers des champs thermiques plus grands, de 32 pouces, pour augmenter le débit, présente des défis techniques importants, particulièrement à des températures dépassant 1450°C. Les composants en graphite standard sont sujets à la dégradation thermique et à la déformation. De plus, les impuretés traces dans le graphite conventionnel peuvent se vaporiser à haute température, contaminant le silicium fondu et affectant gravement la durée de vie des porteurs minoritaires des tranches de silicium résultantes.
La solution de VET Energy utilise du graphite isostatique soumis à un processus de purification approfondie par halogénation. Cette méthode propriétaire transforme les impuretés métalliques en composés halogénés volatils, réduisant la teneur en cendres du graphite à 2-5 ppm. De plus, les composants critiques sont revêtus d'une couche protectrice de carbure de silicium (SiC) déposé chimiquement en phase vapeur (CVD). Ce revêtement agit comme une barrière contre la vapeur de silicium et les gaz corrosifs, empêchant les réactions avec le substrat de graphite et prolongeant la durée de vie des composants.
Selon l'entreprise, les essais sur le terrain réalisés sur 50 fours ont démontré des gains de performance substantiels. La durée de vie des porteurs minoritaires des tranches de silicium est passée de moins de 100 μs à plus de 380 μs. Le rendement des lingots de silicium s'est amélioré de 18 %, et la durée de vie des composants des champs thermiques a été prolongée de 30 %. Ces améliorations sont cruciales pour augmenter l'efficacité des cellules solaires de type N et réduire les coûts de fabrication globaux.