Applied Materials presenterar ny etsningssystem för EUV-litografi

Santa Clara, Kalifornien – Applied Materials, Inc. har lanserat sitt nya system, Applied Centura Tetra EUV Advanced Reticle Etch, för att övervinna en betydande barriär för antagandet av EUV-litografi (Extreme Ultraviolet Lithography). Systemet är utformat för att etsa EUV-fotomasker med nanometernoggrannhet och förbättrad defektprestanda, vilket är avgörande för tillverkning av framtida generationers högpresterande halvledarchip.

Den nya teknologin löser utmaningar relaterade till etsning av nya material och komplexa skiktstrukturer som krävs för EUV-masker. Till skillnad från traditionella masker som överför ljus, använder EUV-litografi en våglängd på 13,5 nm där alla material är ogenomskinliga, vilket kräver reflekterande speglar. Systemet syftar till att uppfylla de stränga kraven på noggrannhet, ytfinish och defektfrihet som behövs för hög utbyte vid litografi i reflekterande läge.

Applied Materials uppger att flera system redan har levererats till ledande masktillverkare. Företaget betonar sitt fortsatta engagemang i att investera i teknologier som stödjer kundernas behov och möjliggör nästa generations designnoder. Införandet av EUV-litografi förväntas accelerera produktionen av avancerade halvledare.

EUV Tetra-systemet är en del av Applied Materials bredare portfölj av lösningar för att optimera produktivitet och utbyte inom fotomask- och litografiverksamheter. Företaget erbjuder även omfattande global service och support för att maximera systemets drifttid.