Tidigare Intel-VD kritiserar HBM-minne
Före detta Intel-VD Pat Gelsinger har starkt kritiserat High Bandwidth Memory (HBM). Han beskrev det som en dålig lösning för vissa beräkningsuppgifter, med begränsningar i densitet och värmehantering.
Den tidigare verkställande direktören för Intel, Pat Gelsinger, har uttryckt skarp kritik mot High Bandwidth Memory (HBM), och kallat det för "dåligt minne". Gelsinger lyfter fram problem med låg bitdensitet, begränsad värmeavledning och flaskhalsar i "strandkantsbandbredd" som påverkar dataöverföringen mellan minnet och processorn.
Enligt Gelsinger är HBM:s begränsningar särskilt problematiska för minnesintensiva beräkningsarbetsbelastningar som artificiell intelligens (AI). Han noterade att koncentrationen av data på en plats skapar värmeproblem, eftersom DRAM-minnen inte trivs vid höga temperaturer, vilket gör HBM "katastrofalt" för AI och liknande applikationer.
Tekniska utmaningar finns även i den fysiska implementeringen av HBM. Den höga datamängden kräver många anslutningar och mikro-lödningar (micro-bumps), vilket ökar värmegenereringen. Dessutom minskar användningen av genomgående kiselgenomföringar (TSV) i DRAM-chipen den lagringskapacitet som finns på enskilda chip, även om den totala densiteten per kvadratmillimeter för hela paketet kan vara hög.
Gelsingers kommentarer antyder att HBM:s nuvarande arkitektur kanske inte är optimal för framtidens mest krävande beräkningsbehov, vilket potentiellt kan påverka utformningen av server- och datacenterslösningar.