Tidigare Samsung-chef dömd till fängelse för läckage av affärshemligheter
Seouls överdomstol har fastställt ett treårigt fängelsestraff för Samsungs tidigare vice VD Ahn Seung-ho gällande stöld och läckage av konfidentiell företagsinformation.
Seouls överdomstol har avslagit överklagandet från Ahn Seung-ho, tidigare chef för Samsungs center för immateriella rättigheter, och fastställt hans treåriga fängelsestraff. Ahn greps omedelbart i rättssalen efter beslutet.
Brottet härrör från en patenttvist där Ahn företrädde det amerikanska företaget Tekiya i en stämningsansökan mot Samsung. Ahn använde interna Samsung-dokument som innehöll strategiska analyser av patentens giltighet och företagets försvarsmetoder. Domstolen slog fast att dokumenten utgjorde skyddsvärda affärshemligheter som gav en otillbörlig fördel i förhandlingar.
Domstolen fann att Ahn utnyttjat interna säkerhetsbrister för att få tillgång till rapporterna trots att han saknade behörighet. Två medåtalade personer, tidigare anställda på Samsung, fick sina straff skärpta till tre respektive fyra års fängelse och frihetsberövades också i samband med domen.
Den ursprungliga patentstämningen mot Samsung i USA avvisades tidigare efter att det framkommit att konfidentiellt material använts otillbörligt. Händelsen markerar en tydlig gränsdragning kring hanteringen av immateriella rättigheter och förtroendevaldas ansvar efter avslutad anställning.