GaNrich utökar portföljen av galliumnitridkomponenter till 40–1200 volt
Det taiwanesiska halvledarbolaget GaNrich har lanserat en bred portfölj av GaN-kraftkomponenter, avsedda för sektorer som datacenter och fordonselektronik.
GaNrich Semiconductor Corporation har utökat sitt utbud av komponenter baserade på galliumnitrid (GaN) för att täcka ett spänningsområde från 40 till 1200 volt. Genom att använda både GaN-on-Si och GaN-on-Sapphire-plattformar riktar sig bolaget mot marknader som kräver hög effektivitet, inklusive AI-datacenter, batterisystem och elfordon.
Företagets strategi bygger på att erbjuda komponenter som är pin-kompatibla med traditionella kiselkomponenter, vilket syftar till att sänka tröskeln för systemdesigners att uppgradera befintliga lösningar. Utöver själva komponenterna tillhandahåller bolaget integrerade kretslösningar och paketeringstjänster för att förenkla integrationen i kunders systemarkitekturer. Planer finns även på att lansera 1200V-lösningar för dubbelriktad styrning för att möta kraven i avancerade strömförsörjningsenheter.
GaNrich betonar sin roll som en leverantör utanför den kinacentrerade leveranskedjan, med fokus på produktion och ekosystemutveckling i Taiwan. Bolaget uppger att deras produkter nu har validerats av globala aktörer inom bilindustrin och energisektorn som en del av en bredare marknadslansering.