GaNrich utökar portföljen av galliumnitrid-halvledare
GaNrich Semiconductor lanserar ett utökat utbud av GaN-kraftkomponenter för spänningsområdet 40–1200V, anpassat för sektorer som datacenter och fordon.
Det taiwanesiska företaget GaNrich Semiconductor Corporation har utökat sitt produktutbud av galliumnitrid-baserade (GaN) halvledare till att täcka ett spänningsområde från 40 till 1200 volt. Tekniken, som baseras på GaN-on-Si och GaN-on-Sapphire-plattformar, syftar till att erbjuda högre effektivitet och effekttäthet för applikationer inom artificiell intelligens, robotik och fordonselektronik.
I en marknad där behovet av högpresterande kraftomvandling ökar, positionerar sig GaNrich genom att erbjuda komponenter som är fysiskt kompatibla med befintlig kiselteknologi. Genom att erbjuda pin-to-pin-ersättningslösningar sänker företaget tröskeln för systemintegratörer att byta ut traditionella komponenter mot GaN-baserade alternativ utan att behöva göra om hela kretsdesignen.
Företaget betonar även sin strategi för att etablera en leveranskedja utanför de kinesiska marknaderna, vilket möter en växande efterfrågan på diversifierad produktion bland europeiska och amerikanska kunder. GaNrich bekräftar att flera av deras lösningar redan har validerats av internationella kunder inom fordons- och energiindustrin.