GaNrich utökar portföljen av galliumnitrid-halvledare för 40–1200 volt

GaNrich Semiconductor Corporation, med bas i Taiwan, har presenterat en utökad portfölj av galliumnitrid-baserade (GaN) effekthalvledare som täcker spänningsområdet 40 till 1200 volt. Tekniken är avsedd för kritiska infrastrukturapplikationer som datacenter för AI, elfordon, drönare och energilagringssystem.

Genom att använda både GaN-på-kisel- och GaN-på-safir-plattformar kan GaNrich erbjuda komponenter med hög kretstäthet och låga ledningsförluster. Företagets strategi bygger på att erbjuda lösningar som kan ersätta befintliga kiselbaserade komponenter genom enkla utbyten, vilket minskar utvecklingstiden för slutkunderna. Genom att även integrera grinddrivare direkt i kapslingen förenklas kretsdesignen ytterligare.

En central del av GaNrichs strategi är att positionera sig som ett alternativ till de dominerande leveranskedjorna i Kina. Genom sin produktion i Taiwan och samarbete med internationella partners strävar bolaget efter att säkra leveranser till globala kunder i Nordamerika och Europa som efterfrågar diversifierade försörjningsvägar.

Företaget aviserar även kommande lanseringar av dubbelriktade switchar på 1200 volt, vilka syftar till att möjliggöra enstegsarkitekturer för kraftomvandling. Flera produkter har redan validerats av industriella kunder, vilket bekräftar komponenternas tillförlitlighet i krävande miljöer.