Kioxia-WD: BiCS10 3D NAND-minnen i provningsfas
Kioxia och Western Digital har inlett leveransen av prover för BiCS10 3D NAND-minne med 332 lager. Den första produkten är en 1Tb TLC-minneskrets.
Minnesleverantören Kioxia-WD-alliansen har meddelat att leveransen av prover för den tionde generationen BiCS FLASH 3D NAND-minne, som utvecklats i samarbete, har påbörjats. Den första levererade minneskretsen är av typen 1Tb TLC (Triple-Level Cell).
BiCS10-minneskretsarna använder en staplingsteknik med 332 lager. Tillverkningen sker vid Kioxias fabrik i Iwate, Japan. Den nya generationen fortsätter att använda CMOS-teknologi och integrerade halvledarkretsar som introducerades i den tidigare BiCS8-generationen.
Den första BiCS10 1Tb TLC-minneskretsen stödjer Toggle DDR6.0- och SCA-protokoll samt PI-LTT-teknologi. Hastigheten på minnets I/O-gränssnitt når 4800 MT/s. Minnestätheten är marknadsledande 29+ Gb/mm², vilket är en 59 % förbättring jämfört med BiCS8-generationen. Energieffektiviteten i produktionen har förbättrats avsevärt.
Förbättringarna i energieffektivitet inkluderar 34 % lägre strömförbrukning och 30 % bättre energieffektivitet vid läsning. Energieffektiviteten vid skrivning förbättras med 18 %, medan strömförbrukningen minskar med 10 %. Den nya minnestekniken är ett betydande steg i utvecklingen av prestanda och effektivitet för lagringslösningar.