MemSilicon färdigställer 1 Gb RRAM-chip "MountTai 2026"

Kinesiska halvledarföretaget MemSilicon har meddelat att de har slutfört tillverkningen av sitt första 1 gigabit (Gb) RRAM (Resistive Random-Access Memory) chip, kallat "MountTai 2026". Chippet är baserat på en 1T4R-lagringsarkitektur och tillverkas med en 28 nanometer (nm) CMOS-process.

Enligt företaget uppnår chippet en lagringsdensitet på 30 megabit per kvadratmillimeter (Mb/mm²). "MountTai 2026" inkluderar även en inbyggd hårdvarukorrigering för fel (ECC) och har en åtkomstlatens på mindre än 20 nanosekunder (ns). Verifieringsprocessen för chippet pågår.

MemSilicon, grundat i maj 2024, fokuserar på att utveckla nya icke-flyktiga minneslösningar. Företaget syftar till att adressera "minnesväggen" genom att integrera avancerad minnesteknik och beräkning. Sedan starten har bolaget säkrat betydande finansiering i två omgångar.

Framställningen av "MountTai 2026" markerar ett viktigt steg för MemSilicon i deras strävan att utveckla och kommersialisera Gb-klassade chip baserade på högdensitetsminnesteknik.