RaidSonic implementerar galliumnitridteknik i nya strömförsörjningsenheter

RaidSonic Technology GmbH har börjat använda galliumnitrid (GaN) i sin senaste generation av strömförsörjningsenheter. Genom att ersätta kiselbaserade halvledare kan företaget konstruera mer kompakta laddare med högre verkningsgrad, vilket enligt bolaget kan sänka energiförlusterna vid laddning med upp till 20 procent.

Företagets modell IB-PS104-PD illustrerar skiftet mot den nya tekniken. Enheten är utrustad med fyra portar och stödjer Power Delivery 3.0 med en uteffekt på upp till 100 watt. Genom att använda GaN-komponenter minimeras värmeutvecklingen, vilket möjliggör en högre komponenttäthet och därmed en mindre fysisk formfaktor.

Enligt prognoser från TrendForce förväntas GaN-laddare stå för mer än hälften av den totala nyproduktionen av laddare senast 2025. RaidSonics satsning följer den rådande branschtrenden där tillverkare söker optimera prestanda och energieffektivitet för att möta efterfrågan på mer kraftfull men portabel kringutrustning.