Samsung påskyndar byggandet av DRAM-produktionslinje vid Pyeongtaek P5-anläggningen
Samsung Electronics har påskyndat byggandet av DRAM-produktionslinjen för fas PH1 vid Pyeongtaek P5-anläggningen, snabbare än tidigare förväntat. Fas PH2 kan komma att användas för NAND-produktion.
Samsung Electronics påskyndar byggandet av produktionslinjen för DRAM-minne i fas PH1 vid Pyeongtaek P5-anläggningen, enligt lokala medieuppgifter. Företaget inledde byggandet av renrum denna kvartal, vilket ligger före den ursprungliga tidsplanen.
Enligt uppskattningar skulle halvledartillverkningsutrustningen tas i bruk i juli-augusti 2027. Rykten tyder dock på att Samsung har begärt leverans av utrustning redan i maj-juni 2027 och till och med önskar ta emot utrustningen under årets första kvartal för lagring. Detta indikerar företagets starka vilja att investera proaktivt i P5-projektet.
Parallellt förhandlar Samsung med sina partners om att omvandla fas PH2 i P5-anläggningen till en produktionslinje för avancerat NAND-flashminne. På grund av förlängda leveranstider för utrustning har Samsung bett sina partners att förbereda nödvändiga komponenter i förväg.
Förändringarna i produktionslinjeplanerna återspeglar tillverkarnas ansträngningar att anpassa sig till förändrade marknadskrav och säkerställa leveranskedjornas stabilitet mitt i globala leveranssvårigheter.