Samsung Electronics utvecklar AI-optimerat NAND-minnen

Samsung Electronics utvecklar nya NAND-minneslösningar som är anpassade för kraven från AI-arbetsbelastningar. Enligt en rapport från ZDNET Korea arbetar företaget med zNAND-T och zNAND-I som komplement till den tidigare presenterade zNAND-O.

zNAND-T, där "T" står för "Throughput" (genomströmning), är utformad för att optimera läs- och skrivbandbredden för AI-chip i datacentraler. Denna minnestyp använder TSV-stackade NAND-kärnor för att förbättra prestandan i krävande datamiljöer.

I sin tur fokuserar zNAND-I, där "I" hänvisar till IOPS (Input/Output Operations Per Second), på att förbättra prestandan vid slumpmässiga läs- och skrivoperationer. Detta är fördelaktigt i applikationer som hanterar små datamängder frekvent, såsom vid KV Cache-avlastning.

Dessa tre zNAND-modeller signalerar en övergång från generella NAND-minnen till mer specialiserade lösningar, optimerade för att möta de ökande kraven från specifika applikationer, särskilt inom artificiell intelligens.