Samsung anlitar TSMC för att tillverka Nvidias HBM-basplattor med 3nm-process

Samsung Electronics kommer att använda Taiwan Semiconductor Manufacturing Companys (TSMC) 3 nanometer-process för att tillverka basplattorna (base die) för Nvidias nästa generations anpassade High Bandwidth Memory (HBM). Detta markerar en strategisk förändring för Samsung, som hittills har tillverkat både kärnkomponenterna (core die) och basplattorna för sina HBM-produkter internt.

Nvidia har begärt att deras HBM-leverantörer, inklusive Samsung, SK Hynix och Micron, ska använda TSMC:s 3nm-process för tillverkning av basplattorna. För kärnkomponenterna kräver Nvidia användning av sjätte generationens DRAM-process, kodnamn 1c. Syftet är att säkerställa konsekvent prestanda över olika leverantörer och minska komplexiteten i produktverifieringsprocessen.

Samsung, genom sin Device Solutions-division, har utvärderat Nvidias krav och beslutat att acceptera dem för tillverkningen av basplattorna. Medan denna förändring specifikt rör Nvidias anpassade HBM-kretsar, kommer Samsung att fortsätta tillverka sina egna standard HBM-produkter, som HBM4 och den kommande HBM4E, med sina egna 4nm-processer.

Samsung undersöker även möjligheten att tillverka NVHBM-basplattorna på egna produktionslinjer som en reservplan. Detta för att säkerställa kapacitet om Nvidias efterfrågan skulle överstiga TSMC:s produktionskapacitet, eller för att ha flexibilitet i sin egen produktion framöver.