SK Hynix bekräftar V10 NAND-minne med 375 lager

SK Hynix har bekräftat att dess senaste V10 NAND-minnesteknik kommer att använda en 375-lagers stapling, en ökning från föregående V9-generationens 321 lager. Detta markerar också den första NAND-produkten från företaget som integrerar wafer bonding-teknologi. Det nya V10 NAND är optimerat för AI-infrastrukturmiljöer, och utlovar 2,5 gånger högre prestanda per watt jämfört med föregående generation.

Företaget planerar att inleda massproduktion av företags-SSD:er baserade på V10 NAND under första halvåret 2027. SK Hynix visade även upp V10 1Tb TLC-kiselwafers samt två färdiga chip: en 32DP 2CH-modell som staplar 32 NAND-dies, och en fyrkanals inkapslingsversion i ett kompakt format.

Dessutom presenterades UFS 5.0-lösningen UG500, baserad på V9H 1Tb TLC NAND. Denna lösning erbjuder en 19-procentig förbättring i energieffektivitet jämfört med UFS 4.1. Minneschip av typen LPDDR6 visades också upp.

SK Hynix ställde även ut sin första kostnadseffektiva PCIe Gen5 QLC SSD, PQF02. Den bygger på V9 QLC NAND och finns i 1TB och 2TB-varianter, med stöd för M.2-formfaktorer från 2230 till 2280.